Krazti Sabrina2025-02-092025-02-092024http://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/7794Les diodes électroluminescentes (LED) basées sur des structures ALP/ALP émettant de la lumière verte ont fait des progrès significatifs ces dernières années. Cette thèse présente une étude simulée à l'aide du programme SILVACO Atlas de trois structures différentes d'une diode électroluminescente à plusieurs puits quantiques ALP / AlGaP: une avec un puits quantique (1 QW), une autre avec deux puits quantiques (2 QW) et la troisième avec trois puits quantiques (3 QW). La région active est constituée de puits quantiques espacés de 15 nm et de barrières quantiques espacées de 25 nm. Les principales propriétés électriques et optiques I(V), p op (V), p op (I) des diodes simulées, la concentration de porteurs de charge dans la région active, l'efficacité quantique externe ainsi que le spectre d'émission sont présentés et analysés. Une comparaison des caractéristiques des trois diodes est également faite dans ce travail.frSimulation of light-emitting diodes (LED) based on AlP/AlGaP hetero-junctionThesis