DROUDJ Madiha2024-12-182024-12-182024http://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/7694L'industrie électronique est activement engagée dans des efforts de recherche approfondis pour découvrir de nouveaux matériaux et dispositifs susceptibles de remplacer le silicium et la technologie MOSFET, les nanotubes de carbone (NTC) sont apparus comme une option exceptionnellement prometteuse pour réduire la technologie des transistors à l'échelle nanométrique. Les transistors à effet de champ basés sur les NTC (CNTFET) sont désormais largement considérés comme un substitut réalisable à la technologie CMOS traditionnelle. Notre objectif principal a été de construire des modèles et de réaliser des simulations pour analyser en profondeur les caractéristiques statiques des composants utilisant des nanotubes de carbone. Les efforts considérables de notre projet ont apporté des contributions substantielles à la recherche et à la modélisation en cours des transistors CNTFET en particulier à grille cylindrique qui reposent sur la base d’un programme de simulation numérique pour étudier les caractéristiques I-V avec l’effet de quelques paramètres physiques et géométriques. Les données générées par ce programme feront l'objet d'une analyse approfondie et seront comparées aux études antérieures menées dans le même domaine.frThesis