ZERAOULIA Siham -BOUSSALEM Fatima2024-11-272024-11-272017http://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/7586Dans le domaine des télécommunications, les composants à effet de champ jouent un rôleprimordial. Alors nous nous sommesintéresses, dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ à grille Schottky à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs. Le travail consiste à faire une étude sur le transistor à effet de champ à grille Schottky et déterminer l’influence des paramètres physiques sur le comportement du composant. Un logiciel de simulation sera développé et qui va permettre, à partir des données physiqueset de la technologie de la structure, de générer les réseaux de caractéristiques du transistor d’une part et d’autre part de présenter l’influence des paramètres physiques sur les caractéristiques couranttension, conductance et transconductance du MESFET.frThesis