Simulation of light-emitting diodes (LED) based on AlP/AlGaP hetero-junction
No Thumbnail Available
Date
2024
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Les diodes électroluminescentes (LED) basées sur des structures
ALP/ALP émettant de la lumière verte ont fait des progrès significatifs ces
dernières années. Cette thèse présente une étude simulée à l'aide du programme
SILVACO Atlas de trois structures différentes d'une diode électroluminescente à
plusieurs puits quantiques ALP / AlGaP: une avec un puits quantique (1 QW),
une autre avec deux puits quantiques (2 QW) et la troisième avec trois puits
quantiques (3 QW). La région active est constituée de puits quantiques espacés
de 15 nm et de barrières quantiques espacées de 25 nm. Les principales
propriétés électriques et optiques I(V), p
op
(V), p
op
(I) des diodes simulées, la
concentration de porteurs de charge dans la région active, l'efficacité quantique
externe ainsi que le spectre d'émission sont présentés et analysés. Une
comparaison des caractéristiques des trois diodes est également faite dans ce
travail.