Interaction des particules chargées avec la matière
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2022
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Abstract
La méthode de Monte Carlo est un outil efficace pour la simulation des trajectoires
aléatoires des ions et des électrons lors des bombardements de la surface de composés
semi-conducteurs par des faisceaux d’ions ou d’électrons. Après un rappel théorique
décrivant la technique de Monte Carlo relative au bombardement ionique et
électronique, on a utilisé des logiciels SRIM et CASINO pour simuler respectivement
l’int eraction ions avec la mat ière et l’interact ion des électrons avec matière. Les
résultats obtenus sont donnés sous formes de tableaux et sous formes de courbes
relatant les différents phénomènes liés au pouvoir d’arrêt, la distance parcourue des
ions dans la matière et les effets de génération de rayon X par les faisceaux des
électrons. Les résultats sont comparés avec ceux de l’utilisation des microscopes
MEB et du dopage des matériaux semi-conducteurs pour la fabrication des
composants électroniques et optoélectronique