Synthèse, caractérisation et application d’oxyde pure et mélanges d’oxydes en couches minces
No Thumbnail Available
Files
Date
2017
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Dès le début de son étude, l’intérêt s’est porté sur le développement et la maîtrise d’un
processus de synthèse du mélange d’oxyde complexe ZnO/ZnAl
2
O
4
et la corrélation entre les
propriétés physico-chimiques des dépôts obtenus en fonction de l’effet de la température de recuit
thermique en vue d’application en optoélectronique ou photo-catalyse.
La technique de dépôt utilisée est la pulvérisation chimique ultrasonique (USP), la qualité
des films (en couche mince) est étroitement liée aux types de précurseurs utilisés et aux
conditions opératoires. La formation de ZnAl
2
O
4
(AZ) dépend des conditions de dépôt et de recuit
thermique. Les principaux paramètres influant dans le procédé USP sont la température du
substrat (Ts), les concentrations des précurseurs et le volume du solvant. Le traitement
thermique en est également un facteur capital dans la formation de l’aluminate de zinc en phase
unique ou en mélange de phases ZnO/ZnAl
2
O
4
.
La maîtrise du processus de dépôt des films minces transparents de bonne qualité a été
atteinte. Les dépôts ont été réalisés à partir d’une solution pulvérisée à base de sels hydratés
source d’ions d’aluminium et de zinc. Une apparition simultanée, à priori selon la DRX, du
système ZnO/ZnAl
2
O
4
(de taille nanométrique) en couches minces à partir du recuit à 500°C-2h.
Une meilleure qualité cristalline et ordre de la structure de ZnO à 550°C et de ZnAl
2
O
4
à 650°C
sont notés. Les films ZnO/ZnAl
2
O
4
sont très transparents dans les régions visible et proche infrarouge
et hautement sensibles à l’absorption UV indiquant qu’ils sont appropriés pour des
applications de capteur photoconducteur UV et senseurs de gaz.