Simulation des cellules solaires à base de silicium (Si) et à base d’Arséniure de gallium (GaAs) : Etude comparative
| dc.contributor.author | MESSAI Boulaares | |
| dc.date.accessioned | 2024-12-04T07:54:50Z | |
| dc.date.available | 2024-12-04T07:54:50Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.description.abstract | La demande mondiale en énergie évolue rapidement et les ressources naturelles de l'énergie telles que l'uranium, le gaz et le pétrole diminuent en raison d'une grande diffusion et développement de l'industrie ces dernières années. Pour couvrir les besoins en énergie, des recherches ont out conduit à l'énergie renouvelable. Une des énergies renouvelables qui peut accomplir la demande est l’énergie solaire photovoltaïque, c’est une énergie propre, silencieuse, disponible et gratuite. C’est d’ailleurs ce qui explique que son utilisation connaît une croissance significative dans le monde. Dans ce travail de simulation, nous utilisons le simulateur PC1D, pour étudier les performances des cellules solaires à base de GaAs et de Si. Pour obtenir un meilleur rendement énergétique. Par la suite nous intéressons à l’influence de la température, du dopage et de l’épaisseur des deux cellules (GaAs, Si) pour étudier l’influence de celles-ci sur le rendement électrique des cellules | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/7634 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Simulation des cellules solaires à base de silicium (Si) et à base d’Arséniure de gallium (GaAs) : Etude comparative | |
| dc.type | Thesis |