Synthèse d’oxydes fonctionnels 𝒁𝒏𝑶 dopé et 𝒁𝒏𝑶 dopé/𝒁𝒏𝑨𝒍 pour la détection de gaz 𝟐 𝑶 𝟐
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2018
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Abstract
La technique de dépôt utilisée est la pulvérisation chimique ultrasonique (USP),
la nature des films (couche mince) et l’état cristallin est étroitement lié aux conditions
opératoires. La formation de ZnO/ZnAl
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(AZ) dépend des conditions de dépôt et de
recuit thermique. Les principaux paramètres influant dans le procédé USP sont la
température du substrat (Ts), les concentrations des précurseurs et le volume du solvant.
Le traitement thermique en est également un facteur capital dans la formation de
l’aluminate de zinc en phase unique ou en mélange de phases ZnO/ZnAl
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La réalisation du dépôt ZnO/ZnAl
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sur silicium a été conduite avec succès
également. Selon la DRX, les cristallites des phases ZnO et ZnAl
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sont de taille
nanométrique. Le dopage des films ZnO/ZnAl
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par l’Mn, Mg et Ag est possible. Les
couches ZnO :Al très transparents (85%) dans les régions visible et proche infra-
indiquant qu’ils sont appropriés pour des applications senseurs de gaz.