Effet des paramètres physiques sur les caractéristiques électriques du transistor à effet de champ à grille Schottky MESFET GaAs.
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2017
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Abstract
Dans le domaine des télécommunications, les composants à effet de champ
jouent un rôleprimordial. Alors nous nous sommesintéresses, dans le cadre
de notre étude au transistor à effet de champ à grille Schottky à l’arséniure
de gallium dit MESFET GaAs.
Le travail consiste à faire une étude sur le transistor à effet de champ à
grille Schottky et déterminer l’influence des paramètres physiques sur le
comportement du composant.
Un logiciel de simulation sera développé et qui va permettre, à partir des
données physiqueset de la technologie de la structure, de générer les
réseaux de caractéristiques du transistor d’une part et d’autre part de
présenter l’influence des paramètres physiques sur les caractéristiques couranttension,
conductance
et transconductance
du
MESFET.