Simulation des Diodes Electroluminescentes Multi-Puits Quantiques à Base de GaN/InGaN
| dc.contributor.author | BESSAMI Imane NASSRI Heyam | |
| dc.date.accessioned | 2024-12-05T08:07:08Z | |
| dc.date.available | 2024-12-05T08:07:08Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.description.abstract | Aujourd'hui, la diode électroluminescente est un composant de plus en plus utilisé dans des différents domaines technologiques et applications. Dans ce travail, nous avons présenté une étude simulatrice par le logiciel Atlas SILVACO d’une diode électroluminescente multi- puits quantiques (MQW) basé sur l’hétérojonctions GaN/InGaN dont l'épaisseur des puits quantiques est de l'ordre de 0.01 µm disposée en entre deux couche GaN de type Net de type P. l’étude montre que la bonne répartition de l’émission lumineuse dans la diode est obtenue s’il y a une distribution homogène des charges, entre les différents puits quantiques ce qui entraine l’augmentation du taux de recombinaisons radiatives dans les puits quantiques. Enfin, on a extrait les principales caractéristiques électriques et optiques (I-V-L) du LED comme la longueur d'onde émise, l’effet de quelques paramètres géométriques et technologiques sur la performance de la diode. Nous avons aussi étudié l’effet du taux d'indium dans la couche active sur les caractéristiques optiques de la diode notamment sur le spectre d’émission ou nous avons remarqué que le changement de taux d’indium change la couleur d’émission de la LED. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/7661 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Simulation des Diodes Electroluminescentes Multi-Puits Quantiques à Base de GaN/InGaN | |
| dc.type | Thesis |