Simulation des Diodes Electroluminescentes Multi-Puits Quantiques à Base de GaN/InGaN
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Date
2021
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Abstract
Aujourd'hui, la diode électroluminescente est un composant de plus en plus utilisé dans des
différents domaines technologiques et applications. Dans ce travail, nous avons présenté une
étude simulatrice par le logiciel Atlas SILVACO d’une diode électroluminescente multi- puits
quantiques (MQW) basé sur l’hétérojonctions GaN/InGaN dont l'épaisseur des puits quantiques
est de l'ordre de 0.01 µm disposée en entre deux couche GaN de type Net de type P. l’étude
montre que la bonne répartition de l’émission lumineuse
dans la diode est obtenue s’il y a une
distribution homogène des charges, entre les différents puits quantiques ce qui entraine
l’augmentation du taux de recombinaisons radiatives dans les puits quantiques. Enfin, on a
extrait les principales caractéristiques électriques et optiques (I-V-L) du LED comme la
longueur d'onde émise, l’effet de quelques paramètres géométriques et technologiques sur la
performance de la diode. Nous avons aussi étudié l’effet du taux d'indium dans la couche active
sur les caractéristiques optiques de la diode notamment sur le spectre d’émission ou nous avons
remarqué que le changement de taux d’indium change la couleur d’émission de la LED.