Semi-conducteurs en couche mince photovoltaïque à base de cuivre
| dc.contributor.author | Yaalaoui Sana -Athmani Ibtissam | |
| dc.date.accessioned | 2024-11-19T08:23:18Z | |
| dc.date.available | 2024-11-19T08:23:18Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.abstract | La recherche dans le domaine de développement et d’exploitation des semi conducteurs en couche minces d’oxyde de cuivre élaboré par la technique d’électrodéposition sont en forte croissance. Après avoir optimisé les paramètres de dépôts de couches Cu 2 O par électrodéposition. Nous avons choisi d’élaborer ces couches sur des substrats en verre de dioxyde d’étain dopé Fluor (FTO) et en cuivre, dans un électrolyte contenant comme précurseur: le sulfate de cuivre (CuSO 4 ) de concentration 0.4 M, qui peut fournir l’oxygène et le cuivre, le citrate de sodium (C 6 H 5 Na 3 O 7 ) aussi de concentration 0.3 M comme additif. Nous avons fixé aussi le pH et la température de notre bain électrolytique à pH=10 et 60°C. En plus, le potentiel et le temps de dépôts déterminé sont égale à - 0.6 V et 30 min, respectivement. Après l’élaboration, les couches minces obtenues seront traité thermiquement à 100°C sous air pendant une 1H et puis caractérisées par: DRX, MEB, AFM, EDX et photocourant pour atteindre les propriétés souhaitable. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/7459 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Semi-conducteurs en couche mince photovoltaïque à base de cuivre | |
| dc.type | Thesis |