Simulation Des Diodes Electroluminescentes Emettant Dans Le Bleu
| dc.contributor.author | Souisse Nor elhouda Belmanaa Khaoula | |
| dc.date.accessioned | 2024-12-05T08:58:18Z | |
| dc.date.available | 2024-12-05T08:58:18Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.description.abstract | Les diodes électroluminescentes (LED) à base de GaN/InGaN émettant dans le bleu ont vu une avance importante ces dernières années. Dans ce mémoire, nous présentons une étude simulatrice par le logiciel Atlas SILVACO de trois structures différentes de diodes électroluminescentes LED à base de multi-puits quantiques (MQW) InGaN / GaN, la première à un seul puits quantique (SQW), alors que la deuxième à deux puits quantique (2MQW) et la troisième à quatre puits quantique (4MQW). La région active est formée par des puits quantiques InGaN de 10nm et barrières quantiques GaN de 20nm. Les principales caractéristiques électriques et optiques I(V), P op (V), P op (I) des LEDs simulées sont présentées et discutées ainsi que le spectre d’émission, la concentration des porteurs de charge au nive au de la zone active et l’efficacité quant ique externe. Une comparaison entre les caractérist iques des trois diodes est présentée au cours de ce travail. Le travail a besoin d’approfondissement et d’étudier l’effet de quelques paramètres technologiques tels que l’épaisseur de la zone active ainsi que le nombre de puits quant iques avec l’effet du dopage et le pourcentage de l’indium dans l’alliage InGaN sur la performance des LEDs. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/7679 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Simulation Des Diodes Electroluminescentes Emettant Dans Le Bleu | |
| dc.type | Thesis |