Interaction des particules chargées Interaction des particules chargées avec la matière Interaction des particules chargées
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Date
2021
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Abstract
La simulation des trajectoires aléatoires des ions et d'électrons, au cours du
bombardement ionique et électronique de la surface de composés semi-conducteurs,
en utilisant un faisceau d'ions ou un faisceau d'électrons. Elle est généralement faite
en utilisant une méthode très importante, qui est la méthode de Monte Carlo, au début
on a fait le coté théorique de la technique de Monte Carlo. Après on a utilisé le
logiciel TRIM (Transport and Range of Ions in Mater) pour la simulation de
l'interaction des ions avec la matière et logiciel CASINO (Monte Carlo Simulation of
electroNtrajectory in Solid) ce dernier est utiliser pour simuler l'interaction des
électrons avec la matière, ces deux logiciels permet de donner les résultats de la
simulation sous formes de tableaux et de courbes, au but d'étudiées différents
phénomènes comme le pouvoir d'arrêt, la distance parcourue des ions dans la matrice
des semi-conducteurs, les effets de génération de rayon X par les faisceaux des
électrons, c'est résultats sont comparées avec ceux si on utilise des Microscope MEB,
et du dopage des matériaux semi-conducteurs dans le domaine de fabrication des
composants électronique et particulièrement optoélectronique.