MODELING AND SIMULATION OF THE ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF CARBON NANOTUBES (APPLICATION TO C-CNTFET AND OG-CNTFET).

dc.contributor.authorLAOUAR Hana
dc.date.accessioned2026-02-05T09:31:58Z
dc.date.available2026-02-05T09:31:58Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractCette thèse présente une étude complète des transistors à nano-carbone basés sur les nanotubes de carbone (CNT) et les nanorubans de graphène (GNR), en se concentrant sur leur synthèse, leurs propriétés électroniques fondamentales et leurs architectures de dispositifs. Elle débute par un aperçu des allotropes du carbone, mettant en lumière l'impact de la structure matérielle sur le comportement électronique. Le travail passe ensuite en revue les principes du transistor à effet de champ (FET), évoluant des MOSFET classiques vers diverses configurations de CNTFET, avec une attention particulière aux CNTFET à commande optique et leur potentiel pour des applications optoélectroniques. Par la suite, l’étude explore la fabrication et le fonctionnement des transist ors à nanoruban de graphène (GNRFET), en insistant sur leur utilisation dans la détection de gaz. À travers des simulations, les effets du contrôle optique sur les caractéristiques I–V des CNTFET et la génération de photo courant sont caractérisés. Une étude appliquée se concentre sur des capteurs à base de GNRFET à double grille utilisant un diélectrique LaAlO₃, analysant la réponse du capteur à l’exposition à l’ammoniac NH 3 et l’influence de paramètres tels que la tension, les propriétés du diélectrique et la concentration de gaz sur les performances. Cette recherche approfondit la compréhension de la physique des dispositifs nano-carbone et de leurs applications pour les futures plateformes nanoélectroniques et de détection.
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-khenchela.dz:4000/handle/123456789/10499
dc.language.isofr
dc.titleMODELING AND SIMULATION OF THE ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF CARBON NANOTUBES (APPLICATION TO C-CNTFET AND OG-CNTFET).
dc.typeThesis
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