Modélisation et simulation des caractéristiques statiques des composants à base de nanotubes de carbone
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Date
2024
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Abstract
L'industrie électronique est activement engagée dans des efforts de recherche
approfondis pour découvrir de nouveaux matériaux et dispositifs susceptibles de remplacer le
silicium et la technologie MOSFET, les nanotubes de carbone (NTC) sont apparus comme
une option exceptionnellement prometteuse pour réduire la technologie des transistors à
l'échelle nanométrique. Les transistors à effet de champ basés sur les NTC (CNTFET) sont
désormais largement considérés comme un substitut réalisable à la technologie CMOS
traditionnelle. Notre objectif principal a été de construire des modèles et de réaliser des
simulations pour analyser en profondeur les caractéristiques statiques des composants utilisant
des nanotubes de carbone. Les efforts considérables de notre projet ont apporté des
contributions substantielles à la recherche et à la modélisation en cours des transistors
CNTFET en particulier à grille cylindrique qui reposent sur la base d’un programme de
simulation numérique pour étudier les caractéristiques I-V avec l’effet de quelques paramètres
physiques et géométriques. Les données générées par ce programme feront l'objet d'une
analyse approfondie et seront comparées aux études antérieures menées dans le même
domaine.