Les interactions des particules chargées avec la matière
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2020
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Abstract
La méthode de Monte Carlo est un outil efficace pour la simulation des trajectoires aléatoires
des ions et des électrons lors des bombardements de la surface de composés semi-conducteurs
par des faisceaux d’ions ou d’électrons. Après un rappel théorique décrivant la technique de
Monte Carlo relative au bombardement ionique et électronique, on a utilisé des logiciels
SRIM et CASINO pour simuler respectivement l’interaction ions avec la matière et
l’int eraction des électrons avec mat ière. Les résultats obtenus sont donnés sous formes de
tableaux et sous formes de courbes relatant les différents phénomènes liés au pouvoir d’arrêt,
la distance parcourue des ions dans la matière et les effets de génération de rayon X par les
faisceaux des électrons. Les résultats sont comparés avec ceux de l’utilisation des
microscopes MEB et du dopage des matériaux semi-conducteurs pour la fabrication des
composants électroniques et optoélectronique