MODELING AND SIMULATION OF THE ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF CARBON NANOTUBES (APPLICATION TO C-CNTFET AND OG-CNTFET).
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Date
2025
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Abstract
Cette thèse présente une étude complète des transistors à nano-carbone basés sur les
nanotubes de carbone (CNT) et les nanorubans de graphène (GNR), en se concentrant sur leur
synthèse, leurs propriétés électroniques fondamentales et leurs architectures de dispositifs. Elle
débute par un aperçu des allotropes du carbone, mettant en lumière l'impact de la structure
matérielle sur le comportement électronique. Le travail passe ensuite en revue les principes du
transistor à effet de champ (FET), évoluant des MOSFET classiques vers diverses
configurations de CNTFET, avec une attention particulière aux CNTFET à commande optique
et leur potentiel pour des applications optoélectroniques. Par la suite, l’étude explore la
fabrication et le fonctionnement des transist ors à nanoruban de graphène (GNRFET), en
insistant sur leur utilisation dans la détection de gaz. À travers des simulations, les effets du
contrôle optique sur les caractéristiques I–V des CNTFET et la génération de photo courant
sont caractérisés. Une étude appliquée se concentre sur des capteurs à base de GNRFET à
double grille utilisant un diélectrique LaAlO₃, analysant la réponse du capteur à l’exposition à
l’ammoniac NH
3
et l’influence de paramètres tels que la tension, les propriétés du diélectrique
et la concentration de gaz sur les performances. Cette recherche approfondit la compréhension
de la physique des dispositifs nano-carbone et de leurs applications pour les futures plateformes
nanoélectroniques et de détection.